曾曦稍差一些，作为会谈记录和参与者，她也有些疲态。
而曲风和盛清明这两个业余的家伙就不用说了，身体疲惫可以克服，心理疲惫才是真的难捱。反复磋商各项细节，口水都说干了，他们感觉会谈进展异常缓慢，甚至可以说无用。
对于业余人士来说，这种细节较量，时间较量，精神较量是很难受的。
“出售储存核心技术不符合本公司的利益，我们是不会同意的。顶多我们再加十亿，这已经是我个人能给你们申请的最大限度的优惠了。”李在新说道。
“这么大的合作，十亿可有可无。”庄丁宁摇头道。
接下来又是一顿看似没有水平的废话，但是在磋商过程中，他们偶尔会冒出一句带坑的话，如果缺乏耐心或状态不佳，就很容易陷进去。
“最多把资金提升到160亿，这已经是我们公司的底线，不可能再提升了。”李在新的状态明显已经不如庄丁宁，资金方面慢慢放松，但技术方面还是咬得很紧。
“这个数额还算可以，但我们希望你们在技术方面也展现一些诚意。或者向我们提供储存制造设备，也可以抵消一部分资金。”庄丁宁说道。
“技术交易到此为止，制造设备倒是可以考虑一下。”李在新说道。
“没问题，我们有时间。”庄丁宁说道。
李在新闻言猛地反应过来，玛德又放开了一个条件。
生产内存条的工艺流程，可以概括为内存芯片制造与颗粒焊接封装两大部分。内存颗粒的制造与绝大多数芯片制造过程类似。
首先是将原料沙子熔炼提纯为纯硅制成硅单晶锭，并切片，制成晶圆基片。
这一项工艺一般不由晶圆代工厂完成而是由相应的晶圆制造商完成。
然后便是掺杂工艺（离子注入），通过固态扩散机制，将衬底材料暴漏在相反型态的杂质中，使原有的本征半导体晶格杂化，遂形成p-n结结构。同样的，在硅晶圆片不同的位置加入不同的杂质，不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管。
接下来就是光刻蚀刻电路的工艺了。
首先需要在基片表面涂抹光刻胶，用于光刻过程中的光化学反应。
一般来说光刻采用紫外光段，除了使用蒙版外还需要借助透镜的光路性质。光刻胶在接受紫外光照射后变得可溶，可以在随后的清洗过程中洗掉。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。
这个过程是内存颗粒生产过程中最重要的，期间光刻、蚀刻过程会经过多次反复的处理，还要穿插使用等离子冲洗、热处理、气相沉积等工艺，最终使每一个微存储晶体管成型。
之后是所谓的金属层电镀、生长的工艺。无数的晶体管需要导线相互连起来才能起作用，而在芯片中，仿佛高速公路的多层金属结构起到了这样的作用。
最后便是切片，晶圆切割成片，每一片作为一个内存颗粒、封装、测试流程。
这样，一枚良品内存颗粒便生产出来了。
如何由内存颗粒制成可以直接插在主板上的内存条呢？相较于内存颗粒的生产，内存条的装配所显出的工艺更传统：主要通过表面贴装设备将内存颗粒与内存电路板及其相应的控制模块进行贴合组装，辅以回流焊等工艺。
装配好了之后便可以进行最终产品测试。最终封装出货投放市场。
通过以上过程可以看出，内存和芯片制造有几个共同点，比如原材料都是沙子，都需要用到刻蚀机和光刻机。也就是说，只要掌握其中一项产品的制造，做另一项产品就会轻松很多。
所有半导体芯片，其实本质上都是高集成度的电路罢了，而其单个元件也是主要由p-n结半导体构成的。
就微电子生产工艺上讲，图形转移是加工的重要基础——如何把器件和电路的设计图纸或工作站转移到硅基片上去？
这实际上是一个在衬底上建立三维图形的过程，而这也就成为了晶圆片代工厂所必须要掌握的工艺。掺杂、制膜、图形转移成为了微电子生产的主要工艺。
而图形转移过程主要由光刻和蚀刻承担。
光刻，又称为图形曝光，使用带有某一层设计几何形状的掩模版，通过光化学反应，经过曝光与显影，使光敏的光刻胶在衬底上形成三位浮雕图形，将图案转移到覆盖在半导体晶面上的感光薄膜层上。
而蚀刻是指在光刻胶的掩蔽下，根据需要形成的微图形的膜层，采用不同的蚀刻物质和方法在膜层上进行选择性蚀刻的工艺。
相较于后者，光刻技术的发展对电路集成度的提高起了决定性的作用——光刻占用芯片制造的30%成本，是微电子制造过程中最复杂、昂贵、关键的工艺。
“由于美国法案的限制，最先进的设备你们就不要想了。”李在新反应过来后，连忙提醒庄丁宁等人，免得他们在这个问题上纠缠不清。
“没问题，稍微落后一代我们也不介意。”庄丁宁大度地道，因为他们本来就没指望得到最先进的制造设备，估计三星也没有几台。
李在新看到庄丁宁坦然的眼神，突然发现自己真的说了一句废话。
这章没有结束^.^，请点击下一页继续阅读！
喜欢重生之清爽人生请大家收藏：(www.zuoyankanshu.com)重生之清爽人生左眼看书更新速度全网最快。